深圳市易捷測(cè)試技術(shù)有限公司
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TSK探針臺(tái)|東京精密ACCRETCH|AP3000/AP3000e
探針臺(tái)|全自動(dòng)探針臺(tái)|硅光晶圓測(cè)試系統(tǒng)|半自動(dòng)探針臺(tái)|手動(dòng)探針臺(tái)|國(guó)產(chǎn)探針臺(tái)|Hanwa ESD/ TLP測(cè)試儀|CDM測(cè)試機(jī)|晶圓級(jí)ESD測(cè)試儀|芯片HCI/BTI/TDDB/DCEM可靠性測(cè)試設(shè)備、滿足實(shí)驗(yàn)室研發(fā)和晶圓廠量產(chǎn)的多種需求。廣泛應(yīng)用于：WAT/CP測(cè)試、I-V／C-V測(cè)試、RF/mmW測(cè)試、高壓/大電流測(cè)試、在片wlr、在片老化burning、高低溫測(cè)試、光電器件測(cè)試（硅光、CMOS，SPAD傳感器等）、晶圓級(jí)失效分析、芯片ESD測(cè)試、半導(dǎo)體工藝可靠性驗(yàn)證、封裝測(cè)試等領(lǐng)域
晶圓探針機(jī)AP3000/AP3000e（以下簡(jiǎn)稱(chēng)探針）的設(shè)計(jì)特點(diǎn)如下。
應(yīng)用于大直徑晶圓（300 mm）
自動(dòng)操作系統(tǒng)
清潔環(huán)境
高精度探測(cè)
高通量
低振動(dòng)
可靠性高ITV精細(xì)對(duì)準(zhǔn)
高剛度級(jí)多位點(diǎn)探測(cè)
適用的wafers (1) Wafer size: 300 、200 mm (2) Thickness: 300 to 1000 μm (3) Thickness variation: ±50 μm max. Applicable chip and size: 0.2 to 100 mm (0.1 μm setting) Not to exceed 1,000,000 chips Index time: 160 ms (Standard speed) Chip size 10 mm Z axis operation including 0.5 mm up and down is 208 ms 4.4 Overall precision: ±0.8 μm （AP3000） ±1.5 μm （AP3000e） ACCT standard conditions (Use the die in the first lot at wafer position as reference, from thereafter the variation is ±0.8μm / ±1.5 μm.) Operating environment temperature change is ±1 °C Using ACCT standard jigs Probing direction: X axis direction probing (Can used for Y axis direction probing) Chuck, Z control (1) Control resolution: 0.01 μm (2) Overdrive: ?300 to 500 μm Power Supply (1) Input power supply: 200/220/230/240 V AC (2) Power consumption: 2.4 kVA max. |
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