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隨著 5G 和 EV（電動汽車）的 CMOS 成像傳感器（CIS）芯片和 CIS 攝像頭模塊（CCM）的 ADAS（高級駕駛輔助系統(tǒng)）的普及。根據(jù)專業(yè)市場研究機構(gòu)（Yole)、CIS芯片和CCM到2024年將達(dá)到457億美元，年均復(fù)合增長率超過9.1%。產(chǎn)品的技術(shù)和質(zhì)量是 CIS 和 CCM 制造商在最終用戶市場取得成功的關(guān)鍵，深度依靠精密的檢測技術(shù)和系統(tǒng)來推進核心技術(shù)，提高產(chǎn)品質(zhì)量。

現(xiàn)如今，CMOS圖像傳感器（CIS）的應(yīng)用已經(jīng)滲透到我們生活的各個角落，從智能手機到自動駕駛，CIS的影響力日益顯著。但要確保CIS的性能和品質(zhì)，我們需要進行一系列的晶圓級測試。包括（功能性測試、性能測試、可靠性測試）三大環(huán)節(jié)。第一項測試都缺一不可。

CIS芯片需要通過設(shè)計、制造、封裝和測試四個關(guān)鍵步驟。其中測試基本過程包含了軟年編寫、產(chǎn)生測試向量、應(yīng)用于待測設(shè)備、產(chǎn)生反饋數(shù)據(jù)、與軟件值進行比對，最終獲得測試結(jié)果。因此，選擇什么樣的測試設(shè)備將決定驗證產(chǎn)品是否符合目標(biāo)。

通常，電子器件測試有個十倍法則，如果芯片未能在制造中發(fā)現(xiàn)其質(zhì)量問題，那么到了PCB級階段，將會付出十倍以上成本代價來發(fā)現(xiàn)和解決問題。所以早期CP晶圓級測試由為重要，確保晶圓質(zhì)量與性能表現(xiàn)足以進入封裝環(huán)節(jié)。

目前我們提供了二種設(shè)備（SG-A, SG-O)來測試CIS芯片，并依照國際EMVA1288參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)來評估傳感器的性能。這些設(shè)備專為晶圓級測試而設(shè)計，并能夠提供全面且準(zhǔn)確的測試結(jié)果。通常光學(xué)檢測的過程包括：照明、成像和分析三步。

光對檢測對比AOI檢測的優(yōu)勢：

AOI的優(yōu)點在于，它可以高效、快速地檢測CIS芯片表面的缺陷，包括瑕疵、污染、顆粒等，但是它也存在局限性。 由于CIS芯片的表面特性和缺陷類型多種多樣，而且還受到光照等環(huán)境因素的影響，因此需要針對不同類型的CIS芯片進行不同的光學(xué)參數(shù)設(shè)置和算法調(diào)整。同時，還需要在整個生產(chǎn)線上不斷地對AOI檢測系統(tǒng)進行校準(zhǔn)和維護，以保證檢測的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性。

除了光學(xué)檢測，還要進行電性測試、功能性測試、環(huán)境測試，還要符合EMVA1288標(biāo)準(zhǔn)。那么如果有設(shè)備可以一整套解決這些測試需求那有多高效？我們提共的解決方案是整合型的，不需要你再很麻煩的買來一大堆設(shè)備再自行搭建測量系統(tǒng)，解決組裝過程繁瑣，容易出錯，對人員門檻也相當(dāng)高，需求不同領(lǐng)域工程人員，造成成本浪費，精準(zhǔn)度低，耗時的反復(fù)校正，很難符合國際規(guī)范等問題。

我們的方案：新型商用整合型晶圓/芯片級別 EMVA2188測量系統(tǒng) SG-O、SG-A

特征與優(yōu)勢：

Enlitech 是光電子轉(zhuǎn)換檢測領(lǐng)域的領(lǐng)先公司，并在 CIS 和 CCM 上的無損和光學(xué)檢測技術(shù)方面投入了數(shù)十年。我們提供完整的測試解決方案，涵蓋CIS晶圓、CIS芯片、CIS芯片、CIS模塊、CIS攝像頭等全產(chǎn)業(yè)鏈。扎實的技術(shù)能力和專注的服務(wù)態(tài)度，讓我們深受IC設(shè)計公司、晶圓廠商、攝像頭模塊廠商、3C產(chǎn)品公司的信賴。

SG-A 圖像傳感器測試儀是由光焱科技研發(fā)的標(biāo)準(zhǔn)化圖像傳感器測試儀，可提供從圖像傳感器芯片到組裝成產(chǎn)品如屏下指紋辨識模塊、高動態(tài)范圍的車用攝像頭等所需的關(guān)鍵參數(shù)，例如全光譜量子效率QE、整個系統(tǒng)增益K、時間暗噪聲、信噪比、絕對靈敏度閾值、飽和能力、動態(tài)范圍、DSNU 、PRNU、線性誤差等，即便是芯片設(shè)計公司，也可以很輕易的在封裝前后得到相關(guān)的光電特性報告以加速最終產(chǎn)品的交付。SG-A 圖像傳感器測試儀的測試方法在EMVA 1288標(biāo)準(zhǔn)基礎(chǔ)上進行了優(yōu)化設(shè)計，增加了傳統(tǒng)方法無法進行的主光角CRA測量功能，克服了新的工藝制造檢查難題，包括小像素（<1 um），BSI和3D堆疊，微透鏡，新的拜耳陣列設(shè)計等，更直接助力晶圓級光電特性分析、微透鏡設(shè)計驗證。

技術(shù)的發(fā)展催生標(biāo)準(zhǔn)的進步，唯有盡可能使行業(yè)內(nèi)從上游到下游測試方法標(biāo)準(zhǔn)化，才能加速設(shè)計驗證流程。我們發(fā)現(xiàn)，過去的芯片設(shè)計公司，非常熟悉芯片的電性分析，然而隨著光傳感器類產(chǎn)品的市場應(yīng)用大爆發(fā)，如若多琢磨芯片上光轉(zhuǎn)電的特性，顯然可以成為技術(shù)突破點。

　　以圖像傳感器上的一個重要參數(shù)，量子效率為例，利用非破壞性光學(xué)”逆轉(zhuǎn)譯”技術(shù)，由影像芯片生成的數(shù)位影像訊號分析出微米級感光元件的量子效率、芯片類比電路的系統(tǒng)增益等，也可以進一步由傳感器的量子效率QE曲線，來了解傳感器在光譜范圍內(nèi)的表現(xiàn)能力。

SG-A 圖像傳感器測試儀應(yīng)用領(lǐng)域