深圳市易捷測(cè)試技術(shù)有限公司
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半自動(dòng)探針臺(tái)|射頻探針臺(tái)|硅光探針臺(tái)|8英寸晶圓探針臺(tái)
探針臺(tái)|全自動(dòng)探針臺(tái)|硅光晶圓測(cè)試系統(tǒng)|半自動(dòng)探針臺(tái)|手動(dòng)探針臺(tái)|國(guó)產(chǎn)探針臺(tái)|Hanwa ESD/ TLP測(cè)試儀|CDM測(cè)試機(jī)|晶圓級(jí)ESD測(cè)試儀|芯片HCI/BTI/TDDB/DCEM可靠性測(cè)試設(shè)備、滿足實(shí)驗(yàn)室研發(fā)和晶圓廠量產(chǎn)的多種需求。廣泛應(yīng)用于:WAT/CP測(cè)試、I-V/C-V測(cè)試、RF/mmW測(cè)試、高壓/大電流測(cè)試、在片wlr、在片老化burning、高低溫測(cè)試、光電器件測(cè)試(硅光、CMOS,SPAD傳感器等)、晶圓級(jí)失效分析、芯片ESD測(cè)試、半導(dǎo)體工藝可靠性驗(yàn)證、封裝測(cè)試等領(lǐng)域
自動(dòng)探針臺(tái)新品升級(jí):TS2000-IFE 系列:
TS2000-IFE 是一個(gè)多功能自動(dòng)化探針臺(tái),可以從使用一開始或在測(cè)試領(lǐng)域內(nèi)任何需要時(shí)轉(zhuǎn)換為帶有 Waferwallet MAX 的可用于實(shí)驗(yàn)室研發(fā)專用全自動(dòng)探針臺(tái)。主要應(yīng)用在負(fù)載拉動(dòng)、RF、mmW、硅光子學(xué)、設(shè)計(jì)驗(yàn)證(產(chǎn)品工程)或在定義的測(cè)試環(huán)境中測(cè)試 MEMS 和其他傳感器。
產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
我們推出用于太赫茲應(yīng)用的 200 毫米自動(dòng)探針臺(tái)系統(tǒng)。 我們提供其200 mm TS2000-IFE THZ-Selection 自動(dòng)探針臺(tái)系統(tǒng)。THZ-Selection 是一種專用的射頻、毫米波、太赫茲和負(fù)載牽引探針臺(tái),在 -60 至 300 oC 的寬工作溫度范圍內(nèi)不會(huì)影響測(cè)量方向性。它基于最通用的 200 毫米平臺(tái) - TS2000-IFE 系列。 200 毫米晶圓的自動(dòng)化在片測(cè)試探針臺(tái)系統(tǒng)常用來執(zhí)行以下操作:
專有的 IceFreeEnvironment 技術(shù)允許 THZ-Selection 在微定位器和探針卡的幫助下在負(fù)溫度下運(yùn)行。該測(cè)試系統(tǒng)能夠通過具有可編程微觀運(yùn)動(dòng)的集成探針控制提供晶圓級(jí)可靠性。主動(dòng)隔振緩沖了測(cè)試過程中振動(dòng)誤差的發(fā)生。這些功能支持自動(dòng)化測(cè)試,沒有任何錯(cuò)誤余地,并且具有可驗(yàn)證的準(zhǔn)確性。 |
通過以下方式自動(dòng)測(cè)試 200 毫米晶圓:
無需額外的 S 波段波導(dǎo),尤其是在亞太赫茲或太赫茲范圍內(nèi),大限度地減少負(fù)載牽引應(yīng)用的信號(hào)路徑,并提供較寬的調(diào)諧范圍和較高的 Gamma,頻段切換時(shí)操作簡(jiǎn)單方便,THZ-Selection 采用頻率擴(kuò)展器集成創(chuàng)新設(shè)計(jì),最初是為TS200-THZ開發(fā)的,它將擴(kuò)展器懸停在整個(gè) 200 毫米晶圓上。
1、可自動(dòng)測(cè)試 200 毫米晶圓
2、頻段切換時(shí)操作簡(jiǎn)單方便
3、測(cè)量精度和準(zhǔn)確度大大提高
測(cè)試200毫米晶圓。