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Hanwa Electric Products |易捷測(cè)試提供 HANWA TLP測(cè)試機(jī)|傳輸線脈沖(TLP）測(cè)試設(shè)備

產(chǎn)品概述：

傳輸線脈沖（TLP）測(cè)試可以完整的模擬線上脈沖放電，針對(duì)半導(dǎo)體晶圓，封裝后的芯片，功率器件的靜電放電模型的保護(hù)電路的測(cè)試和評(píng)估，并根據(jù)數(shù)據(jù)繪制電壓電流擊穿特性曲線，以得到研發(fā)人員需要的各項(xiàng)重要參數(shù)（Vt1,It2,Ron等）。利用測(cè)試數(shù)據(jù)可以指導(dǎo)ESD保護(hù)電路的可靠性設(shè)計(jì)，并研究不同類型ESD結(jié)構(gòu)的特性，改善ESD保護(hù)電路的設(shè)計(jì)。

產(chǎn)品特點(diǎn)：

T5000普通型和 VF（非常快）模型。VF 型號(hào)提供正常（100nm/200nm）和 VF（1nm-）脈沖寬度?？蛇x的自動(dòng)化測(cè)試與半自動(dòng)探針臺(tái)整合可顯著提高生產(chǎn)力?？膳cHED-W5000組合，ESD（HBM、MM）測(cè)試儀高電流輸出型號(hào)（T5000-HC）現(xiàn)已上市。

HED-T5000 |T5000-VF |T5000-HC TLP傳輸線脈沖測(cè)試機(jī)

用于獲取器件保護(hù)電路的相關(guān)參數(shù)特性
為器件升級(jí)提供支持，縮短產(chǎn)品周期
提供普通和VF（非常快）型號(hào)。VF模型提供正常（100nm / 200nm）和VF（1nm-）脈沖寬度。
具有半自動(dòng)探針臺(tái)整合功能的可選自動(dòng)測(cè)試可大大提高生產(chǎn)率。
可與HED-W5000，ESD（HBM，MM）測(cè)試儀結(jié)合使用現(xiàn)在提供大電流輸出型號(hào)（T5000-HC）。
高可靠性設(shè)計(jì)，低使用成本
國內(nèi)外大型半導(dǎo)體企業(yè)有多年合作經(jīng)驗(yàn)，是TSMC、SUMSUNG優(yōu)先采購機(jī)型
搭配半自動(dòng)探針臺(tái)、全自動(dòng)探針臺(tái)升級(jí)可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化測(cè)試。

TLP（傳輸線脈沖）檢測(cè)儀可以得到半導(dǎo)體中保護(hù)電路的活度參數(shù)。

為了提高ESD耐壓性能，需要分析保護(hù)電路。測(cè)試結(jié)果中包含了許多有用的信息，節(jié)省了半導(dǎo)體開發(fā)過程的時(shí)間。

HEC-T5000/T5000-VF

TLP

QQ圖片20231228162749

產(chǎn)品介紹：

TLP測(cè)試中最先進(jìn)的測(cè)試模式	NTLP（正常的TLP）和VFTLP（非?？斓腡LP/短脈沖型TLP）類型都提供給我們的客戶。正常型TLP的脈沖寬度為100ns/200ns，VFTLP為1ns。這些功能可用于驗(yàn)證HBM/MM測(cè)試模式下的ESD耐壓。
使用功能強(qiáng)大的監(jiān)視器來支持分析	TLP測(cè)試儀中包含的示波器允許確認(rèn)一個(gè)到設(shè)備的入射波和一個(gè)來自設(shè)備的反射波。入射波和反射波自動(dòng)保存后，顯示在專用顯示器上。專用監(jiān)視器顯示入射波和反射波，以及通過跟蹤進(jìn)行Vf/Im測(cè)量的總反彈特性和泄漏測(cè)量值。
特征數(shù)據(jù)的差異顯示	從示波器保存的數(shù)據(jù)允許具有較高靈活性的算術(shù)過程。它們可以在差分過程中顯示晶體管的接通電壓或在保護(hù)電路中的最大電流值同時(shí)顯示為多個(gè)軌跡。可以確認(rèn)每個(gè)軌跡的差值。
連接到晶片ESD測(cè)試儀	TLP測(cè)試儀可連接晶圓ESD測(cè)試儀，可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)測(cè)量。自動(dòng)測(cè)量和自動(dòng)轉(zhuǎn)移到下一個(gè)zap引腳和晶圓片上的下一個(gè)芯片，可以提高測(cè)試效率。

數(shù)據(jù)和分析：

可以從PC設(shè)置脈沖極性,脈沖寬度和步躍電壓.步進(jìn)電壓在測(cè)試中間會(huì)發(fā)生變化. 為設(shè)備保護(hù),電壓限流器為安裝在測(cè)試儀中. 具備Vf/Im泄漏測(cè)量能力.設(shè)置測(cè)量點(diǎn)最大為20個(gè)點(diǎn). 裝置的破壞性評(píng)價(jià)可以具有泄漏測(cè)量能力.破壞性級(jí)別取決于所設(shè)置的閾值.

示波器和監(jiān)視器可以顯示入射波和針對(duì)TLP脈沖的總電壓/電流的反射波。測(cè)量窗口的寬度和位置可以通過使用光標(biāo)來調(diào)整軌跡。為了檢查工藝技術(shù)的變化，TLP測(cè)試儀在同一監(jiān)視器上顯示多個(gè)快回特性。快回特征測(cè)點(diǎn)與破壞性判斷軌跡的關(guān)系是一一對(duì)應(yīng)的。它可以比較和驗(yàn)證裝置的破壞點(diǎn)和快回特性。泄漏測(cè)量值Vf/Im可以確認(rèn)泄漏電流對(duì)于每個(gè)TLP脈沖

標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)

TLP 測(cè)試機(jī) 產(chǎn)品系列

此設(shè)備是對(duì)保護(hù)電路的工作特性進(jìn)行模擬測(cè)試的設(shè)備

對(duì)集成電路里保護(hù)電路的工作參數(shù)的收集與分析有很大幫助

也可進(jìn)行VF-TLP測(cè)試

產(chǎn)品名/型號(hào)	設(shè)備說明
HED-T5000/ HED-T5000VF	此設(shè)備配備了最先進(jìn)的測(cè)試模式具備印加脈沖寬度為100ns/200ns的normal TLP測(cè)試與寬度到1ns的VF-TLP(Very Fast TLP)測(cè)試模式有助于驗(yàn)證HBM/CDM模式的測(cè)試對(duì)于器件管腳的入射波和器件管腳發(fā)出的反射波，都可在示波器上確認(rèn)到此數(shù)據(jù)會(huì)自動(dòng)保存，并在專用的顯示軟件上表示專用顯示軟件可對(duì)入射波/反射波的合計(jì)值，snapback特性以及漏電流測(cè)試的電流值進(jìn)行圖形描繪被保存的示波器上的數(shù)據(jù)可以進(jìn)行高自由度的演算處理比如，對(duì)于不同工藝的晶體管的ON電壓及可以加在保護(hù)電路上的最大電流值等，可以通過曲線的重疊描繪來確認(rèn)其差異并且可以與半自動(dòng)探針臺(tái)連接，實(shí)現(xiàn)TLP測(cè)試的自動(dòng)化由于可以在Wafer level上進(jìn)行印加管腳間或芯片間的自動(dòng)移位，所以能夠很大地提升測(cè)試效率
HED-T5000-HC	目前，對(duì)于半導(dǎo)體器件的高集成度?高頻?高耐壓的需求逐年增加對(duì)于在以往的TLP測(cè)試機(jī)無法完成的高電壓?大電流的特性測(cè)試，在本設(shè)備上得以實(shí)現(xiàn)、并有助于高耐壓元件工作參數(shù)的取得及分析

產(chǎn)品名/型號(hào)

設(shè)備說明

HED-T5000/
HED-T5000VF

此設(shè)備配備了最先進(jìn)的測(cè)試模式

具備印加脈沖寬度為100ns/200ns的normal TLP測(cè)試與寬度到1ns的VF-TLP(Very Fast TLP)測(cè)試模式

有助于驗(yàn)證HBM/CDM模式的測(cè)試

對(duì)于器件管腳的入射波和器件管腳發(fā)出的反射波，都可在示波器上確認(rèn)到

此數(shù)據(jù)會(huì)自動(dòng)保存，并在專用的顯示軟件上表示

專用顯示軟件可對(duì)入射波/反射波的合計(jì)值，snapback特性以及漏電流測(cè)試的電流值進(jìn)行圖形描繪

被保存的示波器上的數(shù)據(jù)可以進(jìn)行高自由度的演算處理

比如，對(duì)于不同工藝的晶體管的ON電壓及可以加在保護(hù)電路上的最大電流值等，可以通過曲線的重疊描繪來確認(rèn)其差異

并且可以與半自動(dòng)探針臺(tái)連接，實(shí)現(xiàn)TLP測(cè)試的自動(dòng)化

由于可以在Wafer level上進(jìn)行印加管腳間或芯片間的自動(dòng)移位，所以能夠很大地提升測(cè)試效率

HED-T5000-HC

目前，對(duì)于半導(dǎo)體器件的高集成度?高頻?高耐壓的需求逐年增加

對(duì)于在以往的TLP測(cè)試機(jī)無法完成的高電壓?大電流的特性測(cè)試，在本設(shè)備上得以實(shí)現(xiàn)、并有助于高耐壓元件工作參數(shù)的取得及分析

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TLP 測(cè)試機(jī) 產(chǎn)品系列

HED-T5000/HED-T5000VF

HED-T5000-HC

HED-T5000/
HED-T5000VF