深圳市易捷測(cè)試技術(shù)有限公司
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描述：
伴隨芯片級(jí)的三維異構(gòu)集成芯片的發(fā)展，扇出型封裝的成熟促進(jìn)了RDL的發(fā)展，因此RDL層的電學(xué)特性測(cè)試慢慢的將引起人們的重視。由于RDL是將原來(lái)設(shè)計(jì)的芯片線路接點(diǎn)位置(Pad)通過(guò)晶圓級(jí)金屬布線制程和凸塊制程得以改變，使芯片能適用于不同的封裝形式，所以測(cè)試其電學(xué)性能的時(shí)候需要面對(duì)種種難于一般wafer測(cè)試的問(wèn)題。如：芯片薄易碎、測(cè)試點(diǎn)分布在wafer的兩面且位置不固定、測(cè)試設(shè)備需要快速且高精度移動(dòng)、扎點(diǎn)尺寸及力度要可控等。
易捷可提供晶圓級(jí)三維異構(gòu)芯片RDL層雙面探針臺(tái)，最高可實(shí)現(xiàn)100points/sec的測(cè)試速率，每一面可搭載1組或多組異步機(jī)械手臂，通過(guò)高靈敏度傳感器配合智能的AOI算法可實(shí)現(xiàn)扎點(diǎn)力度可控、不破片、不裂片的高精度測(cè)試。目前此方案已得到國(guó)內(nèi)三維異構(gòu)芯片生產(chǎn)廠家認(rèn)可。
異構(gòu)芯片中RDL示意圖
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傳統(tǒng)探針扎點(diǎn)與新版探針扎點(diǎn) |
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